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FDMC007N08LCDC

更新时间： 2024-10-29 11:14:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
8页 456K
描述
N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，80V，64A，6.8mΩ

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FDMC007N08LCDC 数据手册

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MOSFET - N‐Channel  
Shielded Gate  
POWERTRENCH)  
80 V, 64 A, 6.8 mW  
FDMC007N08LCDC  
General Description  
www.onsemi.com  
This N-Channel MV MOSFET is produced using  
ON Semiconductor’s advanced PowerTrench process that incorporates  
Shielded Gate technology. This process has been optimized to  
minimize on-state resistance and yet maintain superior switching  
performance with best in class soft body diode.  
V
R
MAX  
I MAX  
D
DS  
DS(ON)  
80 V  
6.8 mW @ 10 V  
22 A  
11.1 mW @ 4.5 V  
Features  
• Shielded Gate MOSFET Technology  
S (1, 2, 3)  
• Max R  
• Max R  
= 6.8 mW at V = 10 V, I = 22 A  
GS D  
DS(on)  
= 11.1 mW at V = 4.5 V, I = 18 A  
DS(on)  
GS  
D
G (4)  
• 5 V Drive Capable  
• 50% Lower Q than Other MOSFET Suppliers  
rr  
• Lowers Switching Noise/EMI  
• MSL1 Robust Package Design  
• 100% UIL Tested  
D (5, 6, 7, 8)  
N-CHANNEL MOSFET  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
Pin 1  
Applications  
• Primary DC−DC MOSFET  
• Synchronous Rectifier in DC−DC and AC−DC  
• Motor Drive  
Top  
Bottom  
Dual Coolt 33  
• Solar  
(PQFN8)  
CASE 483AY  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
MARKING DIAGRAM  
Symbol  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current:  
Value  
80  
Unit  
V
G
S
S
S
V
DS  
V
GS  
20  
V
I
D
A
Continuous, T = 25°C (Note 5)  
64  
41  
15  
339  
C
Continuous, T = 100°C (Note 5)  
C
Continuous, T = 25°C (Note 1a)  
A
&Z&3&K  
7N08LDC  
Pulsed (Note 4)  
E
AS  
Single Pulse Avalanche Energy  
(Note 3)  
150  
mJ  
W
D
D
D
D
P
D
Power Dissipation:  
&Z  
&3  
&K  
= Assembly Plant Code  
= Numeric Date Code  
= Lot Code  
T
A
= 25°C  
57  
3
C
T = 25°C (Note 1a)  
7N08LDC  
= Specific Device Code  
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to +150  
°C  
J
STG  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 6 of  
this data sheet.  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2017  
1
Publication Order Number:  
June, 2021 − Rev. 3  
FDMC007N08LCDC/D  
12345678

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与FDMC007N08LCDC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMC007N30D ONSEMI

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 		双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V
FDMC008N08C ONSEMI

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 		N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，80V，60A，7.8mΩ
FDMC010N08C ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，80 V，51 A，10 mΩ
FDMC010N08LC ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，80 V，51 A，10.9
FDMC012N03 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30 V，1.23 mΩ
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 		N 沟道，PowerTrench® SyncFET™，30V，21A，4.4mΩ
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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100 V，5.5 A，37 mΩ
FDMC15N06 FAIRCHILD

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