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FDMC15N06 PDF预览

FDMC15N06

更新时间： 2024-10-28 10:32:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 615K
描述
N-Channel MOSFET 55V, 15A, 0.090Ω

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FDMC15N06 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：MLP
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：3.88
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：36 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A
最大漏极电流 (ID)：2.4 A最大漏源导通电阻：0.09 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-PDSO-N5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMC15N06 数据手册

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July 2009  
FDMC15N06  
N-Channel MOSFET  
55V, 15A, 0.090Ω  
Features  
Description  
•
•
•
RDS(on) = 0.075Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 15A  
These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the  
innovative UItraFET process. This advanced process technology  
achieves the lowest possible on-resistance per silicon area,  
resulting in outstanding performance.This device is capable of  
withstanding high energy in the avalanche mode and the diode  
exhibits very low reverse recovery time and stored charge. It was  
designed for use in applications where power efficiency is  
important, such as switching regulators, switching converters,  
motor drivers, relay drivers, lowvoltage bus switches, and power  
management in portable and battery-operated products.  
100% Avalanche Tested  
RoHS Compliant  
Bottom  
Top  
Pin 1  
4
3
2
1
G
S
S
S
D
D
D
D
5
6
7
8
G
S
S
S
D
D
D
D
MLP 3.3x3.3  
MOSFET Maximum Ratings TC = 25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
55  
V
V
±20  
-Continuous (TC = 25oC)  
-Continuous (TC = 100oC)  
- Continuous (TA = 25oC)  
- Pulsed  
15  
A
ID  
Drain Current  
9
(Note 1a)  
2.4  
A
A
IDM  
EAS  
IAR  
Drain Current  
(Note 2)  
(Note 3)  
60  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
36  
mJ  
A
15  
3.5  
EAR  
Repetitive Avalanche Energy  
mJ  
W
W
oC  
(TC = 25oC)  
(TA = 25oC)  
35  
PD  
Power Dissipation  
2.3  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
300  
oC  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Ratings  
3.5  
Units  
RθJC  
RθJA  
oC/W  
(Note 1a)  
53  
©2009 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMC15N06 Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
12345678

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