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FDMC007N30D

更新时间： 2024-10-29 11:13:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
11页 406K
描述
双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V

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FDMC007N30D 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – Dual, N-Channel,  
POWERTRENCH)  
Bottom  
D1  
D1  
D1  
V
IN  
G
V
Pin 1  
IN  
D1  
Q1: 30 V, 11.6 mW; Q2: 30 V, 6.4 mW  
V
HS  
IN  
G1  
G
V
IN  
FDMC007N30D  
General Description  
S2  
GND  
GND  
GND  
LS  
S2  
S2  
G2  
This device includes two specialized N−Channel MOSFETs in  
a dual Power33 (3mm × 3mm MLP) package. The switch node has  
been internally connected to enable easy placement and routing of  
synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and  
synchronous MOSFET (Q2) have been designed to provide optimal  
power efficiency.  
WDFN8 3x3  
(Power 33)  
CASE 511DE  
G1  
D1  
D1  
D1  
G2  
S2  
S2  
S2  
Features  
Q1: N−Channel  
• Max R  
• Max R  
= 11.6 mꢀ at V = 10 V, I = 10 A  
GS D  
DS(on)  
= 13.3 mꢀ at V = 4.5 V, I = 9 A  
DS(on)  
GS  
D
Q1: N−Channel  
• Max R  
= 6.4 mꢀ at V = 10 V, I = 16 A  
GS D  
= 7.0 mꢀ at V = 4.5 V, I = 15 A  
GS D  
DS(on)  
• Max R  
DS(on)  
• RoHS Compliant  
Dual N-Channel MOSFET  
MARKING DIAGRAM  
Applications  
• Mobile Computing  
• Mobile Internet Devices  
• General Purpose Point of Load  
MOSFET MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
&Z&2&K  
FDMC  
7N30D  
Symbol  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage (Note 4)  
Drain Current:  
Q1  
30  
12  
Q2  
30  
12  
Unit  
V
V
DS  
V
GS  
V
I
D
A
− Continuous, T = 25°C  
29  
18  
10  
46  
29  
16  
C
&Z  
&2  
&K  
= Assembly Plant Code  
(Note 6)  
= Data Code (Year & Week)  
= Lot Traceability Code  
= Specific Device Code  
− Continuous, T = 100°C  
C
(Note 6)  
FDMC7N30D  
− Continuous, T = 25°C  
A
(Note 1a)  
(Note 1a) (Note 1b)  
− Pulsed (Note 5)  
113  
302  
E
Single Pulse Avalanche  
Energy (Note 3)  
24  
54  
mJ  
W
AS  
ORDERING INFORMATION  
†
P
Power Dissipation for Single  
Operation:  
T = 25°C  
A
Device  
Package  
Shipping  
D
FDMC007N30D  
WDFN−8  
3000 /  
1.9  
2.5  
(Note 1a) (Note 1b)  
(Power 33)  
Tape & Reel  
T = 25°C  
A
0.7  
1.0  
(Note 1c) (Note 1d)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to +150  
°C  
J
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2016  
1
Publication Order Number:  
April, 2023 − Rev. 3  
FDMC007N30D/D  
1234567...11

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