是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | MLP |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6 | 针数: | 6 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.71 |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 9.7 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 320 pF | JESD-30 代码: | R-PDSO-N6 |
JESD-609代码: | e4 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 6 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 2.2 W |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDMB2308PZ | FAIRCHILD |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semicondu | |
FDMB2308PZ | ONSEMI |
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双共漏极 P 沟道 PowerTrench® MOSFET -20V,-7A,36mΩ | |
FDMB3800N | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 4.8A, | |
FDMB3800N | ONSEMI |
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双 N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,4.8A,40mΩ | |
FDMB3800N_0610 | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 4.8A, | |
FDMB3800N_12 | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 4.8A | |
FDMB3900AN | FAIRCHILD |
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nullDual N-Channel Power Trench® MOSFETTM 25 | |
FDMB3900AN | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,25V,7.0A,23mΩ | |
FDMB506P | FAIRCHILD |
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P-Channel 1.8V Logic Level PowerTrench MOSFET | |
FDMB668P | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel 1.8V Logic Level PowerTrench MOSFET -20V, -6.1A, 35mohm |