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FDMB3900AN

更新时间： 2024-10-28 12:23:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
7页 250K
描述
nullDual N-Channel Power Trench® MOSFETTM 25 V, 7.0 A, 23 mΩ

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FDMB3900AN 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：MLP
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.7
其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE外壳连接：DRAIN
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A最大漏极电流 (ID)：7 A
最大漏源导通电阻：0.023 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：215 pFJESD-30 代码：R-PDSO-N6
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.6 W
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMB3900AN 数据手册

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December 2011  
FDMB3900AN  
Dual N-Channel Power Trench® MOSFETTM  
25 V, 7.0 A, 23 mΩ  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 23 mΩ at VGS = 10 V, ID = 7.0 A  
„ Max rDS(on) = 33 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 5.5 A  
„ Fast switching speed  
These N-Channel Logic Level MOSFETs are produced using  
Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process  
that has been especially tailored to minimize the on-state  
resistance and yet maintain superior switching performance.  
„ Low gate charge  
These devices are well suited for low voltage and battery  
powered applications where the low in-line power loss and fast  
switching are required.  
„ High performance trench technology for extremely low rDS(on)  
„ High power and current handling capability  
„ RoHS Compliant  
Pin 1  
Q2  
G2  
S2  
G1  
4
D2  
D2  
5
6
3
2
1
Q1  
D1 7  
D1  
8
S1  
MicroFET 3X1.9  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current -Continuous  
-Pulsed  
25  
±20  
V
V
TA = 25 °C  
(Note 1a)  
7.0  
ID  
A
28  
Power Dissipation  
TA = 25 °C  
TA = 25 °C  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.6  
PD  
W
Power Dissipation  
0.8  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
80  
°C/W  
165  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
7 ’’  
Tape Width  
Quantity  
3900  
FDMB3900AN  
MicroFET 3X1.9  
8 mm  
3000 units  
1
©2011 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMB3900AN Rev.C1  
www.fairchildsemi.com  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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