5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.44 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6.8 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6.8 A | 最大漏源导通电阻： | 30 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-N8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.9 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 70 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDMB668P | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel 1.8V Logic Level PowerTrench MOSFET -20V, -6.1A, 35mohm |
|
| FDMC007N08LC | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，80V，66A，7.0mΩ |
|
| FDMC007N08LCDC | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，80V，64A，6.8mΩ |
|
| FDMC007N30D | ONSEMI |
获取价格 |
双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V |
|
| FDMC008N08C | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，80V，60A，7.8mΩ |
|
| FDMC010N08C | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，80 V，51 A，10 mΩ |
|
| FDMC010N08LC | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，80 V，51 A，10.9 |
|
| FDMC012N03 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30 V，1.23 mΩ |
|
| FDMC013P030Z | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-30V，-54A，7.0mΩ |
|
| FDMC0310AS | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® SyncFET™，30V，21A，4.4mΩ |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
