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FDMA86551L PDF预览

FDMA86551L

更新时间： 2024-10-28 20:41:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 347K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, ANTIMONY AND HALOGEN FREE, ROHS COMPLIANT, MICROFET-6

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FDMA86551L 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：MLP
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.7
Samacsys Description：FDMA86551L N-Channel MOSFET, 7.5 A, 60 V PowerTrench, 6-Pin MLP ON Semiconductor外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.5 A最大漏极电流 (ID)：7.5 A
最大漏源导通电阻：0.023 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：15 pFJESD-30 代码：S-PDSO-N6
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.4 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMA86551L 数据手册

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January 2014  
FDMA86551L  
Single N-Channel PowerTrench® MOSFET  
60 V, 7.5 A, 23 mΩ  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 23 mΩ at VGS = 10 V, ID = 7.5 A  
This device has been designed to provide maximum efficiency  
and thermal performance for synchronous buck converters. The  
low rDS(on) and gate charge provide excellent switching  
performance.  
„ Max rDS(on) = 35 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 6 A  
„ Low Profile - 0.8 mm maximum in the new package MicroFET  
2x2 mm  
Application  
„ Free from halogenated compounds and antimony oxides  
„ RoHS Compliant  
„ DC – DC Buck Converters  
Pin 1  
G
D
D
Bottom Drain Contact  
D
D
S
D
D
Drain  
Source  
G
D
D
S
MicroFET 2X2 (Bottom View)  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current -Continuous  
-Pulsed  
60  
±20  
V
V
TA = 25 °C  
(Note 1a)  
(Note 3)  
7.5  
ID  
A
45  
Power Dissipation  
TA = 25 °C  
TA = 25 °C  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
2.4  
PD  
W
Power Dissipation  
0.9  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
52  
°C/W  
145  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
7 ”  
Tape Width  
8 mm  
Quantity  
551  
FDMA86551L  
MicroFET 2X2  
3000 units  
©2013 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMA86551L Rev.C1  
www.fairchildsemi.com  
1
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