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FDMA7670

更新时间： 2024-10-28 12:23:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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6页 212K
描述
Single N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 11 A, 15 mΩ

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FDMA7670 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：MLP
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.71
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：11 A
最大漏极电流 (ID)：11 A最大漏源导通电阻：0.015 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：55 pF
JESD-30 代码：S-PDSO-N6JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.4 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMA7670 数据手册

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January 2012  
FDMA7670  
Single N-Channel PowerTrench® MOSFET  
30 V, 11 A, 15 mΩ  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 15 mΩ at VGS = 10 V, ID = 11 A  
This device has been designed to provide maximum efficiency  
and thermal performance for synchronous buck converters. The  
low rDS(on) and gate charge provide excellent switching  
performance.  
„ Max rDS(on) = 22 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 9 A  
„ Low Profile - 0.8 mm maximum - in the new package  
MicroFET 2x2 mm  
„ Free from halogenated compounds and antimony oxides  
„ RoHS compliant  
Application  
„ DC – DC Buck Converters  
Pin 1  
G
D
D
Bottom Drain Contact  
D
D
1
2
3
6
5
4
D
D
S
Drain  
Source  
G
D
D
S
MicroFET 2X2 (Bottom View)  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current -Continuous  
-Pulsed  
30  
V
V
±20  
TA = 25 °C  
(Note 1a)  
11  
24  
ID  
A
Power Dissipation  
Power Dissipation  
TA = 25 °C  
TA = 25 °C  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
2.4  
PD  
W
0.9  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
6.9  
52  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
°C/W  
145  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
7 ’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
670  
FDMA7670  
MicroFET 2x2  
3000 units  
1
©2012 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMA7670 Rev.C4  
www.fairchildsemi.com  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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