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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFHS9301TRPBF
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IRFHS9301TRPBF

更新时间： 2024-10-28 11:09:35
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 322K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRFHS9301TRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：2 X 2 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLAINT, PLASTIC, QFN-6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：1.71外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：6 A最大漏源导通电阻：0.037 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-PDSO-N6
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：52 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFHS9301TRPBF 数据手册

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IRFHS9301TR/TR2PbF  
1000  
100  
10  
100  
OPERATION IN THIS AREA  
LIMITED BY R (on)  
DS  
1msec  
100μsec  
T
= 150°C  
J
10  
1
T
= 25°C  
V
0.1  
0.01  
J
Tc = 25°C  
Tj = 150°C  
Single Pulse  
DC  
10  
10msec  
= 0V  
GS  
1.0  
0.1  
1
100  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
V
, Drain-to-Source Voltage (V)  
DS  
-V , Source-to-Drain Voltage (V)  
SD  
Fig 7. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage  
Fig 8. Maximum Safe Operating Area  
14  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
LIMITED BY PACKAGE  
12  
I
= -25uA  
10  
8
D
6
4
2
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
-75 -50 -25  
0
25 50 75 100 125 150  
T , Case Temperature (°C)  
C
T
, Temperature ( °C )  
J
Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature  
Fig 9. Maximum Drain Current vs.  
Case Temperature  
100  
10  
D = 0.50  
0.20  
0.10  
0.05  
1
0.1  
0.02  
0.01  
SINGLE PULSE  
( THERMAL RESPONSE )  
0.01  
Notes:  
1. Duty Factor D = t1/t2  
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc  
0.001  
1E-006  
1E-005  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
t
, Rectangular Pulse Duration (sec)  
1
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case  
4
www.irf.com  
12345678

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IRFHS9301TRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFHS9301TR2PBF INFINEON

类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFHS9351 INFINEON

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IRFHS9351TRPBF INFINEON

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
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 		Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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IRFI064UPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFI1010 INFINEON

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 		Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.012ohm, Id=49A)

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