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IRFHM8329TRPBF

更新时间： 2024-11-18 20:11:23

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9页	636K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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IRFHM8329TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	QFN-8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.36
雪崩能效等级（Eas）：	43 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	16 A	最大漏极电流 (ID)：	16 A
最大漏源导通电阻：	0.0061 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-PDSO-F5	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	33 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	230 A	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFHM8329TRPBF 数据手册

IRFHM8329PbF

HEXFET^®Power MOSFET

V_DSS

V_GSmax

±20

R_DS(on)max

(@ V_GS= 10V)

6.1

m

(@ V_GS= 4.5V)

8.8

Qg _(typical)

13

I_D

24

(@T_{C (Bottom)}= 25°C)

PQFN 3.3X3.3 mm

Applications

Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery Application

System/Load Switch

Synchronous MOSFET for Buck Converters

Features

Benefits

Low Thermal Resistance to PCB (<3.8°C/W)

Low Profile (<1.05 mm)

Enable better thermal dissipation

Increased Power Density

Multi-Vendor Compatibility

Easier Manufacturing

Industry-Standard Pinout

results in

Compatible with Existing Surface Mount Techniques

RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen

MSL1, Consumer Qualification



Environmentally Friendlier

Increased Reliability

Base part number

Package Type

Standard Pack

Orderable Part Number

Form

Tape and Reel

Quantity

4000

IRFHM8329PbF

PQFN 3.3 mm x 3.3 mm

IRFHM8329TRPbF

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Gate-to-Source Voltage

Max.

± 20

Units

V_GS

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_D@ T_C(Bottom)= 25°C

I_D@ T_C(Bottom)= 100°C

I_D@ T_C= 25°C

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

57

36

24

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Source Bonding

Technology Limited)

I_DM

Pulsed Drain Current 

Power Dissipation 

230

2.6

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_C(Bottom)= 25°C

Power Dissipation 

Linear Derating Factor 

Operating Junction and

Storage Temperature Range

0.021

W/°C

°C

T_J

-55 to + 150

T_STG

Notes  through  are on page 9

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June 5, 2014

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