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IRFHM830DTRPBF

更新时间： 2024-11-18 14:42:51

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	516K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, 3.30 X 3.30 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-8

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IRFHM830DTRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.31
雪崩能效等级（Eas）：	82 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	40 A	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.0071 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-PDSO-N5	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	37 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFHM830DTRPBF 数据手册

IRFHM830DPbF

HEXFET^®Power MOSFET

V_DSS

R_DS(on)max

(@ V_GS= 10V)

4.3

m

Qg _(typical)

Rg _(typical)

1.1



I_D

40

(@T_{C (Bottom)}= 25°C)

PQFN 3.3 x 3.3 mm

Applications

 Synchronous MOSFET for Buck Converters

Features

Benefits

Low R_DSon(< 4.3m)

Lower Conduction Losses

Low Switching Losses

Increased Power Density

Increased Reliability

Schottky intrinsic diode with low forward voltage

Low Thermal Resistance to PCB (<3.4°C/W)

100% Rg tested

Low Profile (< 1.0 mm)

Increased Power Density

Multi-Vendor Compatibility

Easier Manufacturing

results in

Industry-Standard Pinout



Compatible with Existing Surface Mount Techniques

RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen

MSL1, Industrial Qualification

Environmentally Friendlier

Increased Reliability

Standard Pack

Orderable part number

Package Type

Note

Form

Quantity

4000

IRFHM830DTRPbF

IRFHM830DTR2PBF

PQFN 3.3mm x 3.3mm

Tape and Reel

400

EOL notice # 259

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_DS

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

V_GS

± 20

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_D@ T_C(Bottom)= 25°C

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

40

160

2.7

I_D@ T_C(Bottom)= 100°C Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

I_DM

Pulsed Drain Current 

Power Dissipation 

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_C(Bottom)= 25°C

Power Dissipation 

Linear Derating Factor 

Operating Junction and

Storage Temperature Range

0.022

W/°C

T_J

-55 to + 150

°C

T_STG

Notes  through  are on page 9

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September 25, 2015

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