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IRFH8330TRPBF

更新时间： 2024-11-05 21:15:07

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英飞凌 - INFINEON		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	326K
描述
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 6 X 5 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-8

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IRFH8330TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	6 X 5 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	1.19	雪崩能效等级（Eas）：	52 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	25 A
最大漏极电流 (ID)：	17 A	最大漏源导通电阻：	0.0066 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F5
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	35 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	210 A	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFH8330TRPBF 数据手册

IRFH8330PbF

HEXFET^®Power MOSFET

V_DS

V_{GS max}

± 20

R_{DS(on) max}

(@V_GS= 10V)

6.6

Ω

(@V_GS= 4.5V)

9.9

9.3

Q_{g typ.}

PQFN 5X6 mm

I_D

(@T_c(Bottom)= 25°C)

Applications

• Control MOSFET for high frequency buck converters

• Synchronous MOSFET for high frequency buck converters

FeaturesandBenefits

Features

Benefits

Low Thermal Resistance to PCB (< 3.6°C/W)

Low Profile (<1.2mm)

Enable better thermal dissipation

results in Increased Power Density

Industry-Standard Pinout

Multi-Vendor Compatibility

Easier Manufacturing

⇒

Compatible with Existing Surface Mount Techniques

RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen

MSL1, Consumer Qualification

Environmentally Friendlier

Increased Reliability

Orderable part number

Package Type

Standard Pack

Note

Form

Tape and Reel

Quantity

4000

IRFH8330TRPBF

IRFH8330TR2PBF

PQFN 5mm x 6mm

400

EOL notice #259

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_DS

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

± 20

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

@ T_A= 25°C

@ T_A= 70°C

@ T_C(Bottom)= 25°C

@ T_C(Bottom)= 100°C

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Source Bonding

Technology Limited)

Pulsed Drain Current

@ T_C= 25°C

210

3.3

Power Dissipation

@T_A= 25°C

@T_C(Bottom)= 25°C

0.026

-55 to + 150

Linear Derating Factor

Operating Junction and

W/°C

°C

Storage Temperature Range

STG

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January 9, 2014

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