5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRFH8321TRPBF
IRFH8321TRPBF PDF预览

IRFH8321TRPBF

更新时间： 2024-11-05 21:04:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 245K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-Oxide Semiconductor FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFH8321TRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：7.94配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：21 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
湿度敏感等级：1最高工作温度：150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：54 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

IRFH8321TRPBF 数据手册

 浏览型号IRFH8321TRPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFH8321TRPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFH8321TRPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFH8321TRPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFH8321TRPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFH8321TRPBF的Datasheet PDF文件第7页 
IRFH8321PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
VDS  
30  
V
V
Vgs max  
± 20  
RDS(on) max  
(@VGS = 10V)  
(@VGS = 4.5V)  
4.9  
m  
6.8  
Qg typ.  
19.4  
nC  
A
ID  
25  
PQFN5X6mm  
(@Tc(Bottom) = 25°C)  
Applications  
Synchronous MOSFET for high frequency buck converters  
Features  
Benefits  
Low Thermal Resistance to PCB (< 2.3°C/W)  
Low Profile (<1.2mm)  
Enable better thermal dissipation  
results in Increased Power Density  
Industry-Standard Pinout  
Multi-Vendor Compatibility  
Compatible with Existing Surface Mount Techniques  
Easier Manufacturing  
RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen  
MSL1, Consumer Qualification  
Environmentally Friendlier  
Increased Reliability  
Orderable part number  
Package Type  
PQFN 5mm x 6mm  
Standard Pack  
Form  
Tape and Reel  
Note  
Quantity  
4000  
IRFH8321TRPBF  
Absolute Maximum Ratings  
Max.  
Parameter  
Gate-to-Source Voltage  
Units  
V
± 20  
VGS  
21  
17  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
ID @ TC(Bottom) = 25°C  
ID @ TC(Bottom) = 100°C  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
83  
A
52  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Source Bonding  
Technology Limited)  
ID @ TC = 25°C  
25  
332  
3.4  
IDM  
Pulsed Drain Current  
PD @TA = 25°C  
PD @TC(Bottom) = 25°C  
Power Dissipation  
W
54  
Power Dissipation  
0.027  
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
W/°C  
°C  
-55 to + 150  
TJ  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Notes  through ‡ are on page 9  
www.irf.com © 2012 International Rectifier  
August 3, 2012  
1
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与IRFH8321TRPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFH8324 INFINEON

获取价格

 		The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim
IRFH8324PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFH8324TR2PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFETPower MOSFET
IRFH8324TRPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFETPower MOSFET
IRFH8325 INFINEON

获取价格

 		The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capabil
IRFH8325PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFETPower MOSFET
IRFH8325PBF_15 INFINEON

获取价格

 		Compatible with Existing Surface Mount Techniques
IRFH8325TRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFH8330PBF INFINEON

获取价格

 		Control MOSFET for high frequency buck converters
IRFH8330PBF_15 INFINEON

获取价格

 		Compatible with Existing Surface Mount Techniques

与IRFH8321TRPBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证