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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | End Of Life |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.29 | Samacsys Confidence： | 3 |
| Samacsys Status： | Released | Samacsys PartID： | 712975 |
| Samacsys Pin Count： | 8 | Samacsys Part Category： | Integrated Circuit |
| Samacsys Package Category： | SOT23 (8-Pin) | Samacsys Footprint Name： | infinion |
| Samacsys Released Date： | 2017-12-18 13:18:47 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8.3 A | 最大漏源导通电阻： | 0.025 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 66 A | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF7807PBF | INFINEON |
类似代替  |
HEXFET㈢ Chip-Set for DC-DC Converters |
|
| IRF7807APBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET㈢ Chip-Set for DC-DC Converters |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7807TRPBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF7807V | INFINEON |
获取价格 |
N Channel Application Specific MOSFET |
|
| IRF7807VD1 | INFINEON |
获取价格 |
FETKY⑩ MOSFET / SCHOTTKY DIODE |
|
| IRF7807VD1PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF7807VD1PBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor |
|
| IRF7807VD1TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Co-Pack N-channel HEXFET Power MOSFET and schottky diode |
|
| IRF7807VD1TRPBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor |
|
| IRF7807VD2 | INFINEON |
获取价格 |
FETKY⑩ MOSFET / SCHOTTKY DIODE |
|
| IRF7807VD2PBF | INFINEON |
获取价格 |
FETKY MOSFET / SCHOTTKY DIODE |
|
| IRF7807VD2TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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