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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | LEAD FREE, SO-8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.07 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8.3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 8.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.025 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MS-012AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7807VPBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Industry-standard pinout SO-8 Package |
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| IRF7807VPBF-1_15 | INFINEON |
获取价格 |
Industry-standard pinout SO-8 Package |
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| IRF7807VTR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IRF7807VTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IRF7807Z | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7807ZPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7807ZTR | INFINEON |
获取价格 |
Control FET for Notebook Processor Power |
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| IRF7807ZTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Control FET for Notebook Processor Power |
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| IRF7807ZUPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7809 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 17A I(D) | SO |
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