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IRF7807ZPBF

更新时间: 2024-01-23 23:48:41
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英飞凌 - INFINEON 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 215K
描述
HEXFET Power MOSFET

IRF7807ZPBF 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数:8
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.82雪崩能效等级(Eas):63 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (ID):11 A最大漏源导通电阻:0.0138 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):88 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON

IRF7807ZPBF 数据手册

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PD - 95211B  
IRF7807ZPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
VDSS  
30V  
RDS(on) max  
Qg(typ.)  
7.2nC  
l ControlFETforNotebookProcessorPower  
l Synchronous Rectifier MOSFET for  
Graphics Cards and POL Converters in  
Networking and Telecommunication  
Systems  
13.8m @VGS = 10V  
A
A
D
1
8
S
Benefits  
2
7
S
D
l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS  
l Ultra-Low Gate Impedance  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
l 100%TestedforRG  
l Lead-Free  
3
6
S
D
4
5
G
D
SO-8  
Top View  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
30  
Units  
VDS  
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
V
V
± 20  
11  
GS  
I
I
I
@ TA = 25°C  
D
D
@ TA = 70°C  
8.7  
88  
A
DM  
Power Dissipation  
P
P
@TA = 25°C  
@TA = 70°C  
2.5  
1.6  
W
D
D
Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
0.02  
W/°C  
°C  
T
-55 to + 150  
J
T
Storage Temperature Range  
STG  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Drain Lead  
Junction-to-Ambient  
Typ.  
–––  
Max.  
20  
Units  
Rθ  
Rθ  
°C/W  
JL  
–––  
50  
JA  
Notes  through „ are on page 10  
www.irf.com  
1
6/29/06  

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