5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF7807ZTRPBF
IRF7807ZTRPBF PDF预览

IRF7807ZTRPBF

更新时间： 2024-01-08 18:46:26
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 220K
描述
Control FET for Notebook Processor Power

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRF7807ZTRPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.82雪崩能效等级（Eas）：63 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：11 A最大漏源导通电阻：0.0138 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：88 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

IRF7807ZTRPBF 数据手册

 浏览型号IRF7807ZTRPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF7807ZTRPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF7807ZTRPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF7807ZTRPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF7807ZTRPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF7807ZTRPBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 95211B  
IRF7807ZPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
VDSS  
30V  
RDS(on) max  
Qg(typ.)  
7.2nC  
l ControlFETforNotebookProcessorPower  
l Synchronous Rectifier MOSFET for  
Graphics Cards and POL Converters in  
Networking and Telecommunication  
Systems  
13.8m @VGS = 10V  
A
A
D
1
8
S
Benefits  
2
7
S
D
l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS  
l Ultra-Low Gate Impedance  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
l 100%TestedforRG  
l Lead-Free  
3
6
S
D
4
5
G
D
SO-8  
Top View  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
30  
Units  
VDS  
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
V
V
± 20  
11  
GS  
I
I
I
@ TA = 25°C  
D
D
@ TA = 70°C  
8.7  
88  
A
DM  
Power Dissipation  
P
P
@TA = 25°C  
@TA = 70°C  
2.5  
1.6  
W
D
D
Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
0.02  
W/°C  
°C  
T
-55 to + 150  
J
T
Storage Temperature Range  
STG  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Drain Lead  
Junction-to-Ambient  
Typ.  
–––  
Max.  
20  
Units  
Rθ  
Rθ  
°C/W  
JL  
–––  
50  
JA  
Notes  through „ are on page 10  
www.irf.com  
1
6/29/06  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

IRF7807ZTRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7807ZTR INFINEON

类似代替

 Control FET for Notebook Processor Power
IRF7807ZPBF INFINEON

类似代替

 HEXFET Power MOSFET
SI4134DY-T1-GE3 VISHAY

功能相似

 N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

与IRF7807ZTRPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7807ZUPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRF7809 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 17A I(D) | SO
IRF7809A INFINEON

获取价格

 		Chipset for DC-DC Converters
IRF7809ATR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 14.5A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IRF7809AV INFINEON

获取价格

 		N-Channel Application-Specific MOSFETs
IRF7809AVPBF INFINEON

获取价格

 		N-Channel Application-Specific MOSFETs
IRF7809AVPBF-1 INFINEON

获取价格

 		Industry-standard pinout SO-8 Package
IRF7809AVPBF-1_15 INFINEON

获取价格

 		Industry-standard pinout SO-8 Package
IRF7809AVTR INFINEON

获取价格

 		暂无描述
IRF7809AVTR UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时

与IRF7807ZTRPBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证