IRF7809A

更新时间： 2024-02-24 08:49:04

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		转换器
页数	文件大小	规格书
4页	130K
描述
Chipset for DC-DC Converters

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRF7809A 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.8
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	17.6 A	最大漏源导通电阻：	0.0075 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IRF7809A 数据手册

PD - 93810

PD - 93811

IIRRFF7788009A/IRF7811A

PROVISIONAL DATASHEET

HEXFET^®Chipset for DC-DC Converters

• N-Channel Application-Specific MOSFETs

• Ideal for CPU Core DC-DC Converters

• Low Conduction Losses

• Low Switching Losses

• Minimizes Parallel MOSFETs for high current

applications

Description

These new devices employ advanced HEXFET^®Power

MOSFET technology to achieve an unprecedented balance

of on-resistance and gate charge.The reduced conduction

and switching losses make them ideal for high efficiency

DC-DC converters that power the latest generation of

microprocessors.

SO-8

Top View

Both the IRF7809A and IRF7811A have been optimized

and are 100% tested for all parameters that are critical in

synchronous buck converters including R_DS(on), gate charge

and Cdv/dt-induced turn-on immunity.The IRF7809A offers

particulary low R_DS(on)and high Cdv/dt immunity for

synchronous FET applications.The IRF7811A offers an

extremely low combination of Q_sw& R_DS(on)for reduced

losses in control FET applications.

DEVICE RATINGS

IRF7809A IRF7811A

V_DS

30V

28V

12 mΩ

23 nC

7 nC

R_DS

Q_G

8.5 mΩ

73 nC

22.5 nC

30 nC

(on)

Q_sw

The package is designed for vapor phase, infra-red,

convection, or wave soldering techniques. Power

dissipation of greater than 2W is possible in a typical PCB

mount application.

Q_oss

31 nC

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

IRF7809A

IRF7811A

Units

Drain-Source Voltage

V_DS

V_GS

I_D

Gate-Source Voltage

±12

Continuous Drain or Source T_A= 25°C

14.5

14.2

100

11.4

11.2

100

Current (V_GS≥ 4.5V)

Pulsed Drain Current

Power Dissipation

T_L= 90°C

I_DM

P_D

T_A= 25°C

T_L= 90°C

2.5

2.4

Junction & Storage Temperature Range

Continuous Source Current (Body Diode)

Pulsed Source Current

T_J,T_STG

I_S

–55 to 150

°C

2.5

I_SM

Thermal Resistance

Parameter

Max.

Units

°C/W

Maximum Junction-to-Ambient

Maximum Junction-to-Lead

R_θJA

R_θJL

www.irf.com

01/19/00

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与IRF7809A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF7809ATR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14.5A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IRF7809AV	INFINEON	获取价格	N-Channel Application-Specific MOSFETs
IRF7809AVPBF	INFINEON	获取价格	N-Channel Application-Specific MOSFETs
IRF7809AVPBF-1	INFINEON	获取价格	Industry-standard pinout SO-8 Package
IRF7809AVPBF-1_15	INFINEON	获取价格	Industry-standard pinout SO-8 Package
IRF7809AVTR	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRF7809AVTR	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
IRF7811	ADI	获取价格	Synchronous Buck Controller
IRF7811A	INFINEON	获取价格	Chipset for DC-DC Converters
IRF7811APBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET

与IRF7809A相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

16
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

16
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

13
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

16

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRF7809A

IRF7809A 技术参数

IRF7809A 数据手册

与IRF7809A相关器件

与IRF7809A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRF7809A

IRF7809A 技术参数

IRF7809A 数据手册

与IRF7809A相关器件

与IRF7809A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？