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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 15 weeks |
| 风险等级： | 1.12 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.7 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.7 A | 最大漏源导通电阻： | 0.078 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | MS-012AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF7820PBF | INFINEON |
类似代替  |
Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7821 | TI |
获取价格 |
Dual-Synchronous, Step-Down Controller with Out-of-Audio? Operation and 100-mA LDOs for No |
|
| IRF7821 | RICHTEK |
获取价格 |
6A, 24V, 600kHz Step-Down Converter with Synchronous Gate Driver |
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| IRF7821 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRF7821GPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13.6A I(D), 30V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| IRF7821PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢Power MOSFET |
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| IRF7821PBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor |
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| IRF7821TR | INFINEON |
获取价格 |
High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking & C |
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| IRF7821TR | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
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| IRF7821TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFETPower MOSFET |
|
| IRF7821TRPBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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