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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF7831TRPBF
IRF7831TRPBF PDF预览

IRF7831TRPBF

更新时间： 2024-11-20 12:33:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体转换器晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 275K
描述
High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter

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IRF7831TRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：0.92Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：100 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：21 A
最大漏极电流 (ID)：21 A最大漏源导通电阻：0.0036 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：170 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF7831TRPBF 数据手册

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PD - 95134B  
IRF7831PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
VDSS  
30V  
RDS(on) max  
Qg (typ.)  
40nC  
l High Frequency Point-of-Load  
Synchronous Buck Converter for  
Applications in Networking &  
Computing Systems.  
3.6m:@VGS = 10V  
A
A
1
8
S
D
Benefits  
2
7
S
D
l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS  
l Ultra-Low Gate Impedance  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
l 100%TestedforRG  
l Lead-Free  
3
6
S
D
4
5
G
D
SO-8  
Top View  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
30  
Units  
V
VDS  
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
V
± 12  
21  
GS  
I
I
I
@ TA = 25°C  
D
D
@ TA = 70°C  
17  
A
170  
2.5  
1.6  
DM  
Power Dissipation  
P
P
@TA = 25°C  
@TA = 70°C  
W
D
D
Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
0.02  
-55 to + 150  
W/°C  
°C  
T
J
T
Storage Temperature Range  
STG  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Drain Lead  
Junction-to-Ambient  
Typ.  
–––  
Max.  
20  
Units  
°C/W  
RθJL  
RθJA  
–––  
50  
Notes  through „ are on page 10  
www.irf.com  
1
6/30/05  
1234567...10

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IRF7831TRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7831TR INFINEON

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 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRF7831PBF INFINEON

类似代替

 HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(on)max
IRF7831 INFINEON

类似代替

 HEXFETPower MOSFET

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7831TRPBF-1 INFINEON

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IRF7831UPBF INFINEON

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 		暂无描述
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