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IRF7821TRPBF

更新时间: 2024-11-19 12:29:43
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 291K
描述
HEXFETPower MOSFET

IRF7821TRPBF 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
包装说明:SOP-8Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:15 weeks
风险等级:0.66Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):44 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (Abs) (ID):13.6 A
最大漏极电流 (ID):13.6 A最大漏源导通电阻:0.0091 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:MS-012AA
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:155 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM):100 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IRF7821TRPBF 数据手册

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PD - 95213A  
IRF7821PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
VDSS  
30V  
RDS(on) max  
Qg(typ.)  
9.3nC  
l High Frequency Point-of-Load  
Synchronous Buck Converter for  
Applications in Networking &  
9.1mW@VGS= 10V  
Computing Systems.  
l Lead-Free  
A
A
D
1
8
S
Benefits  
l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS  
l Low Gate Charge  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
2
3
4
7
S
S
D
6
D
5
G
D
SO-8  
Top View  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
30  
Units  
V
VDS  
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
V
± 20  
13.6  
11  
GS  
I
I
I
@ TA = 25°C  
D
D
@ TA = 70°C  
A
100  
2.5  
DM  
Power Dissipation  
P
P
@TA = 25°C  
@TA = 70°C  
W
D
D
Power Dissipation  
1.6  
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
0.02  
-55 to + 155  
W/°C  
°C  
T
J
T
Storage Temperature Range  
STG  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Drain Lead  
Junction-to-Ambient  
Typ.  
–––  
Max.  
20  
Units  
°C/W  
Rθ  
Rθ  
JL  
–––  
50  
JA  
Notes  through are on page 10  
www.irf.com  
1
05/23/07  

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