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IRF7832PBF

更新时间： 2024-02-05 04:28:50

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英飞凌 - INFINEON		/
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10页	263K
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HEXFET Power MOSFET

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IRF7832PBF 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.82
雪崩能效等级（Eas）：	350 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	21 A
最大漏源导通电阻：	0.0038 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MS-012AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IRF7832PBF 数据手册

PD - 95016A

IRF7832PbF

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

l Synchronous MOSFET for Notebook

Processor Power

l Synchronous Rectifier MOSFET for

Isolated DC-DC Converters in

Networking Systems

V_DSS

R_DS(on)max

34nC

4.0m @V_GS= 10V

30V

l Lead-Free

Benefits

l Very Low R_DS(on)at 4.5V V_GS

l Ultra-Low Gate Impedance

l Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

SO-8

Top View

l 20V V_GSMax. Gate Rating

l 100% tested for Rg

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_DS

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

± 20

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

@ T_A= 25°C

@ T_A= 70°C

160

2.5

@T_A= 25°C

@T_A= 70°C

Power Dissipation

1.6

Linear Derating Factor

Operating Junction and

0.02

-55 to + 155

W/°C

°C

Storage Temperature Range

STG

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

–––

Max.

Units

°C/W

R_θJL

R_θJA

Junction-to-Drain Lead

Junction-to-Ambient

–––

Notes through are on page 10

www.irf.com

06/30/05

12 3 4 5 6 7...10

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IRF7832PBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRF7832TRPBF	INFINEON	类似代替	HEXFETPower MOSFET
IRF8788PBF	INFINEON	类似代替	HEXFET Power MOSFET

与IRF7832PBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF7832PBF-1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IRF7832TR	INFINEON	获取价格	Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power
IRF7832TRPBF	INFINEON	获取价格	HEXFETPower MOSFET
IRF7832TRPBF-1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IRF7832Z	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF7832ZPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF7834	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF7834PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF7834TRPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRF7835PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET