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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | LEAD FREE, SO-8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 7.25 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 260 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 20 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20 A | 最大漏源导通电阻： | 0.004 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | MS-012AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 160 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF7832TRPBF | INFINEON |
类似代替  |
HEXFETPower MOSFET |
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| IRF8788PBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET Power MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7832PBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| IRF7832TR | INFINEON |
获取价格 |
Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power |
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| IRF7832TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFETPower MOSFET |
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| IRF7832TRPBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| IRF7832Z | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7832ZPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7834 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7834PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7834TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| IRF7835PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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