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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 1.06 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 18 A | 最大漏极电流 (ID)： | 18 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.005 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MS-012AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF7842PBF | INFINEON |
类似代替  |
HEXFET Power MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7853 | INFINEON |
获取价格 |
100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用无铅 SO-8 封 |
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| IRF7853PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7853TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Primary Side Switch in Bridge Topology |
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| IRF7854 | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
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| IRF7854PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7854TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Primary Side Switch in Bridge or two switch forward topologies using 48V ETSI range inputs |
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| IRF7855 | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
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| IRF7855 | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
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| IRF7855PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFETPower MOSFET |
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| IRF7855TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Primary Side Switch in Bridge Topology in Isolated DC-DC Converters |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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