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IRF7842

更新时间： 2024-11-19 22:31:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 179K
描述
Power MOSFET(Vdss = 40 V)

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IRF7842 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.18
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：50 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (ID)：18 A最大漏源导通电阻：0.005 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：140 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF7842 数据手册

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PD - 95864  
IRF7842  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l Synchronous MOSFET for Notebook  
Processor Power  
l Secondary Synchronous Rectification  
for Isolated DC-DC Converters  
l Synchronous Fet for Non-Isolated  
DC-DC Converters  
Benefits  
l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS  
l Low Gate Charge  
VDSS  
40V  
RDS(on) max  
Qg (typ.)  
33nC  
5.0m:@VGS = 10V  
A
A
D
1
8
S
2
7
S
D
3
6
S
D
4
5
G
D
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
SO-8  
Top View  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
40  
Units  
V
VDS  
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
V
± 20  
18  
GS  
I
I
I
@ TA = 25°C  
D
D
@ TA = 70°C  
14  
A
140  
2.5  
1.6  
DM  
Power Dissipation  
P
P
@TA = 25°C  
@TA = 70°C  
W
D
D
Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
0.02  
W/°C  
°C  
T
-55 to + 150  
J
T
Storage Temperature Range  
STG  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Drain Lead  
Junction-to-Ambient  
Typ.  
–––  
Max.  
20  
Units  
°C/W  
RθJL  
RθJA  
–––  
50  
Notes  through ꢀ are on page 9  
www.irf.com  
1
4/26/04  
1234567...9

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