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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF7842PBF
IRF7842PBF PDF预览

IRF7842PBF

更新时间： 2024-11-20 04:44:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体小信号场效应晶体管PC
页数 文件大小 规格书
9页 163K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRF7842PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, SO-8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：7.85
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：656905Samacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：TransistorSamacsys Package Category：Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name：SO-8Samacsys Released Date：2017-03-11 17:12:33
Is Samacsys：NBase Number Matches：1

IRF7842PBF 数据手册

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PD - 95269  
IRF7842PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l Synchronous MOSFET for Notebook  
Processor Power  
VDSS  
40V  
RDS(on) max  
Qg (typ.)  
33nC  
5.0m @VGS = 10V  
l Secondary Synchronous Rectification  
for Isolated DC-DC Converters  
l Synchronous Fet for Non-Isolated  
DC-DC Converters  
A
A
D
1
8
S
2
7
S
D
l Lead-Free  
3
6
S
D
4
5
G
D
Benefits  
SO-8  
l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS  
l Low Gate Charge  
Top View  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
40  
Units  
VDS  
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
V
V
± 20  
18  
GS  
I
I
I
@ TA = 25°C  
D
D
@ TA = 70°C  
14  
A
140  
2.5  
1.6  
DM  
Power Dissipation  
P
P
@TA = 25°C  
@TA = 70°C  
W
D
D
Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
0.02  
W/°C  
°C  
T
-55 to + 150  
J
T
Storage Temperature Range  
STG  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Drain Lead  
Junction-to-Ambient  
Typ.  
–––  
Max.  
20  
Units  
Rθ  
Rθ  
°C/W  
JL  
–––  
50  
JA  
Notes  through ꢀ are on page 9  
www.irf.com  
1
09/21/04  
1234567...9

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IRF7842PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7468TRPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 40V, 0.0155ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRF7469TRPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 40V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRF7842TRPBF INFINEON

类似代替

 Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power

与IRF7842PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7842TRPBF INFINEON

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IRF7853 INFINEON

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 		100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用无铅 SO-8 封
IRF7853PBF INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRF7853TRPBF INFINEON

获取价格

 		Primary Side Switch in Bridge Topology
IRF7854 INFINEON

获取价格

 		The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim
IRF7854PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRF7854TRPBF INFINEON

获取价格

 		Primary Side Switch in Bridge or two switch forward topologies using 48V ETSI range inputs
IRF7855 INFINEON

获取价格

 		The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim
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