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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF7853TRPBF
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IRF7853TRPBF

更新时间： 2024-11-20 12:33:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 214K
描述
Primary Side Switch in Bridge Topology

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IRF7853TRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：1.13Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：8.3 A最大漏极电流 (ID)：8.3 A
最大漏源导通电阻：0.018 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：2.5 W
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：66 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF7853TRPBF 数据手册

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PD - 97069  
IRF7853PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l Primary Side Switch in Bridge Topology  
in Universal Input (36-75Vin) Isolated  
DC-DC Converters  
VDSS  
100V  
RDS(on) max  
18m:@VGS = 10V  
ID  
8.3A  
l Primary Side Switch in Push-Pull  
Topology for 18-36Vin Isolated DC-DC  
Converters  
l SecondarySideSynchronous  
Rectification Switch for 15Vout  
l Suitable for 48V Non-Isolated  
Synchronous Buck DC-DC Applications  
A
A
D
1
8
S
2
3
4
7
S
S
D
6
D
5
G
D
Benefits  
l Low Gate to Drain Charge to Reduce  
SO-8  
Top View  
Switching Losses  
l Fully Characterized Capacitance Including  
Effective COSS to Simplify Design, (See  
App. Note AN1001)  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Max.  
100  
± 20  
8.3  
Units  
V
VDS  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
I
I
I
@ T = 25°C  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
A
D
D
A
@ T = 70°C  
6.6  
A
66  
DM  
P
@T = 25°C  
2.5  
W
Maximum Power Dissipation  
D
A
Linear Derating Factor  
0.02  
W/°C  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
dv/dt  
5.1  
V/ns  
°C  
T
T
-55 to + 150  
J
STG  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Drain Lead  
Typ.  
–––  
Max.  
20  
Units  
°C/W  
RθJL  
RθJA  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)  
–––  
50  
Notes  through ‡ are on page 8  
www.irf.com  
1
1/5/06  
12345678

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