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IRF7832Z

更新时间： 2024-01-24 16:27:24

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英飞凌 - INFINEON		/
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10页	266K
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HEXFET Power MOSFET

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IRF7832Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.82
雪崩能效等级（Eas）：	350 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	21 A
最大漏源导通电阻：	0.0038 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MS-012AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IRF7832Z 数据手册

PD - 96975A

IRF7832Z

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

l Synchronous MOSFET for Notebook

Processor Power

l Synchronous Rectifier MOSFET for

Isolated DC-DC Converters

V_DSS

30V

R_DS(on)max

3.8m @V_GS= 10V

30nC

Benefits

l Very Low R_DS(on)at 4.5V V_GS

l Ultra-Low Gate Impedance

l Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

SO-8

Top View

l 20V V_GSMax. Gate Rating

l 100% tested for Rg

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_DS

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

± 20

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

@ T_A= 25°C

@ T_A= 70°C

160

2.5

1.6

@T_A= 25°C

@T_A= 70°C

Power Dissipation

Linear Derating Factor

Operating Junction and

0.02

-55 to + 150

W/°C

°C

Storage Temperature Range

STG

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Drain Lead

Junction-to-Ambient

Typ.

–––

Max.

Units

°C/W

R_θJL

R_θJA

–––

Notes through ꢀ are on page 10

www.irf.com

06/30/05

12 3 4 5 6 7...10

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