IRF7905PBF

更新时间： 2024-02-27 13:17:59

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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HEXFET Power MOSFET

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IRF7905PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT
包装说明：	LEAD FREE, SOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.35
雪崩能效等级（Eas）：	18 mJ	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8.9 A
最大漏极电流 (ID)：	8.9 A	最大漏源导通电阻：	0.0171 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	71 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF7905PBF 数据手册

PD - 97065A

IRF7905PbF

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

V_DSS

I_D

R_DS(on)max

l Dual SO-8 MOSFET for POL

Converters in Notebook Computers, Servers,

Graphics Cards, Game Consoles

and Set-Top Box

30V Q1 21.8m @V_GS= 10V 7.8A

Q2 17.1m @V_GS= 10V 8.9A

Benefits

l Very Low R_DS(on)at 4.5V V_GS

l Low Gate Charge

l Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

l 20V V_GSMax. Gate Rating

l Improved Body Diode Reverse Recovery

l 100% Tested for R_G

l Lead-Free

SO-8

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Q1 Max.

Q2 Max.

Units

V_DS

Drain-to-Source Voltage

V_GS

Gate-to-Source Voltage

± 20

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

7.8

6.2

8.9

7.1

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_A= 70°C

Power Dissipation

2.0

1.3

2.0

1.3

Linear Derating Factor

Operating Junction and

0.016

W/°C

°C

T_J

-55 to + 150

T_STG

Storage Temperature Range

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Drain Lead

Junction-to-Ambient

Q1 Max.

Q2 Max.

Units

R_θ

°C/W

62.5

www.irf.com

07/10/06

12 3 4 5 6 7...10

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