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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI4134DY-T1-GE3
SI4134DY-T1-GE3 PDF预览

SI4134DY-T1-GE3

更新时间： 2024-11-19 09:26:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 253K
描述
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

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SI4134DY-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：3.07
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：9.9 A最大漏源导通电阻：0.014 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4134DY-T1-GE3 数据手册

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Si4134DY  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) ()  
ID (A)a  
14  
Qg (Typ.)  
Definition  
0.014 at VGS = 10 V  
0.0175 at VGS = 4.5 V  
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg and UIS Tested  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
30  
7.3 nC  
12.5  
APPLICATIONS  
•
DC/DC Conversion  
SO-8  
- Notebook System Power  
D
S
S
S
G
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
G
Top View  
S
Ordering Information: Si4134DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4134DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
30  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
20  
T
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
14  
11.2  
9.9b, c  
7.9b, c  
32  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
T
C = 25 °C  
A = 25 °C  
4.1  
2.0b, c  
Continuous Source-Drain Diode Current  
T
IAS  
15  
Single Pulse Avalanche Current  
Avalanche Energy  
L = 0.1 mH  
EAS  
mJ  
W
11.25  
5
TC = 25 °C  
T
C = 70 °C  
3.2  
Maximum Power Dissipation  
PD  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
2.5b, c  
1.6b, c  
- 55 to 150  
TJ, Tstg  
°C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Symbol  
Typical  
38  
Maximum  
Unit  
t 10 s  
Steady State  
RthJA  
RthJF  
50  
25  
°C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
20  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under steady state conditions is 85 °C/W.  
Document Number: 68999  
S11-0650-Rev. C, 11-Apr-11  
www.vishay.com  
1
This document is subject to change without notice.  
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...10

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SI4134DY-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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