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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.82 | 雪崩能效等级（Eas）： | 63 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0138 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 88 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF7807ZTRPBF | INFINEON |
类似代替  |
Control FET for Notebook Processor Power |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7807ZTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Control FET for Notebook Processor Power |
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| IRF7807ZUPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF7809 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 17A I(D) | SO |
|
| IRF7809A | INFINEON |
获取价格 |
Chipset for DC-DC Converters |
|
| IRF7809ATR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14.5A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
|
| IRF7809AV | INFINEON |
获取价格 |
N-Channel Application-Specific MOSFETs |
|
| IRF7809AVPBF | INFINEON |
获取价格 |
N-Channel Application-Specific MOSFETs |
|
| IRF7809AVPBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Industry-standard pinout SO-8 Package |
|
| IRF7809AVPBF-1_15 | INFINEON |
获取价格 |
Industry-standard pinout SO-8 Package |
|
| IRF7809AVTR | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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