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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> IRF7807Z
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IRF7807Z

更新时间： 2024-11-19 23:14:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 205K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRF7807Z 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.04
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：11 A
最大漏源导通电阻：0.0138 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF7807Z 数据手册

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PD - 94707  
IRF7807Z  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
VDSS  
30V  
RDS(on) max  
Qg(typ.)  
7.2nC  
l ControlFETforNotebookProcessorPower  
l Synchronous Rectifier MOSFET for  
Graphics Cards and POL Converters in  
Networking and Telecommunication  
Systems  
13.8m:@VGS = 10V  
A
A
D
1
2
3
4
8
S
S
S
G
Benefits  
7
D
l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS  
l Ultra-Low Gate Impedance  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
6
D
5
D
SO-8  
Top View  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
30  
Units  
V
VDS  
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
V
± 20  
11  
GS  
I
I
I
@ TA = 25°C  
D
D
@ TA = 70°C  
8.7  
88  
A
DM  
Power Dissipation  
P
P
@TA = 25°C  
@TA = 70°C  
2.5  
1.6  
W
D
D
Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
0.02  
W/°C  
°C  
T
-55 to + 150  
J
T
Storage Temperature Range  
STG  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Drain Lead  
Junction-to-Ambient  
Typ.  
–––  
Max.  
20  
Units  
°C/W  
RθJL  
RθJA  
–––  
50  
Notes  through „ are on page 10  
www.irf.com  
1
6/23/03  
1234567...10

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IRF7807Z 替代型号

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