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IRF7807VTRPBF

更新时间： 2024-11-20 14:51:35
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 198K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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IRF7807VTRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：5.82配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：8.3 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
湿度敏感等级：1最高工作温度：150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

IRF7807VTRPBF 数据手册

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PD-95210  
IRF7807VPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
• N Channel Application Specific MOSFET  
• Ideal for Mobile DC-DC Converters  
• Low Conduction Losses  
• Low Switching Losses  
A
D
1
2
3
4
8
7
S
S
• 100% RG Tested  
• Lead-Free  
D
6
5
S
D
D
Description  
G
This new device employs advanced HEXFET Power  
MOSFET technology to achieve an unprecedented  
balance of on-resistance and gate charge. The  
reduction of conduction and switching losses makes  
it ideal for high efficiency DC-DC Converters that  
power the latest generation of mobile microprocessors.  
SO-8  
Top View  
DEVICE CHARACTERISTICSꢀ  
IRF7807V  
A pair of IRF7807V devices provides the best cost/  
performance solution for system voltages, such as  
3.3V and 5V.  
17 mΩ  
9.5 nC  
3.4 nC  
RDS(on)  
QG  
QSW  
QOSS  
12 nC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
IRF7807V  
Units  
VDS  
30  
Drain-Source Voltage  
V
VGS  
±20  
Gate-Source Voltage  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
Continuous Drain or Source  
(VGS ≥ 4.5V)  
8.3  
I
D
A
6.6  
66  
I
Pulsed Drain Current  
DM  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
2.5  
Power Dissipation  
P
W
°C  
A
D
1.6  
-55 to 150  
TJ , T  
IS  
Junction & Storage Temperature Range  
Continuous Source Current (Body Diode)  
STG  
2.5  
66  
Pulsed Source Current  
ISM  
Thermal Resistance  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Typ  
–––  
–––  
Max  
50  
Units  
Maximum Junction-to-Ambient  
°C/W  
RθJL  
20  
Maximum Junction-to-Lead  
11/3/04  
12345678

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IRF7807VTRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7807VTR INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRF7807VD1TRPBF INFINEON

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