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IRF7807TRPBF-1 PDF预览

IRF7807TRPBF-1

更新时间： 2024-01-07 04:22:04
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 254K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8

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IRF7807TRPBF-1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.08配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：8.3 A
最大漏源导通电阻：0.025 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：66 A表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF7807TRPBF-1 数据手册

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IRF7807PbF-1  
IRF7807APbF-1  
HEXFET® Chip-Set for DC-DC Converters  
A
D
VDS  
30  
25  
12  
8.3  
V
1
2
3
4
8
S
S
RDS(on) max  
(@VGS = 4.5V)  
Qg (typical)  
ID  
7
D
m
Ω
6
5
S
D
D
nC  
A
G
(@TA = 25°C)  
Top View  
SO-8  
Features  
Industry-standard pinout SO-8 Package  
Compatible with Existing Surface Mount Techniques  
RoHS Compliant, Halogen-Free  
Benefits  
Multi-Vendor Compatibility  
Easier Manufacturing  
Environmentally Friendlier  
Increased Reliability  
⇒
MSL1, Industrial qualification  
Standard Pack  
Form  
Tube/Bulk  
Tape and Reel  
Tube/Bulk  
Base Part Number  
IRF7807PbF-1  
Package Type  
Orderable Part Number  
Quantity  
95  
4000  
95  
IRF7807PbF-1  
IRF7807TRPbF-1  
IRF7807APbF-1  
IRF7807ATRPbF-1  
SO-8  
IRF7807APbF-1  
Tape and Reel  
4000  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
VDS  
IRF7807  
IRF7807A  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain or Source  
Current (VGS ≥ 4.5V)  
Pulsed Drain Current  
Power Dissipation  
30  
V
VGS  
±12  
25°C  
70°C  
ID  
8.3  
6.6  
66  
8.3  
6.6  
66  
A
IDM  
PD  
25°C  
70°C  
2.5  
1.6  
W
Junction & Storage Temperature Range  
Continuous Source Current (Body Diode)  
Pulsed source Current  
TJ, TSTG  
IS  
–55 to 150  
°C  
A
2.5  
66  
2.5  
66  
ISM  
Thermal Resistance  
Parameter  
Max.  
Units  
Maximum Junction-to-Ambientƒ  
RθJA  
50  
°C/W  
1
www.irf.com © 2013 International Rectifier  
Submit Datasheet Feedback  
November 20, 2013  
12345678

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IRF7807TRPBF-1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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IRF7807 INFINEON

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IRF7807VD1PBF-1 INFINEON

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IRF7807VD1TRPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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 		HEXFET㈢ Power MOSFET

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