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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF7807A
IRF7807A PDF预览

IRF7807A

更新时间： 2024-09-27 22:31:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体转换器晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 241K
描述
Chip-Set for DC-DC Converters

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IRF7807A 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, SO-8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.09
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：8.3 A
最大漏源导通电阻：0.025 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：66 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF7807A 数据手册

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PD – 91747C  
IRF7807/IRF7807A  
HEXFET® Chip-Set for DC-DC Converters  
• N Channel Application Specific MOSFETs  
• Ideal for Mobile DC-DC Converters  
• Low Conduction Losses  
A
D
1
8
S
S
2
3
4
7
6
5
D
• Low Switching Losses  
S
D
D
Description  
G
These new devices employ advanced HEXFET Power  
MOSFET technology to achieve an unprecedented  
balance of on-resistance and gate charge. The  
reduced conduction and switching losses make them  
ideal for high efficiency DC-DC Converters that power  
the latest generation of mobile microprocessors.  
SO-8  
Vds  
Top View  
Device Features  
IRF7807 IRF7807A  
A pair of IRF7807 devices provides the best cost/  
performance solution for system voltages, such as 3.3V  
and 5V.  
30V  
30V  
25mΩ  
17nC  
Rds(on) 25mΩ  
Qg  
17nC  
Qsw  
Qoss  
5.2nC  
16.8nC 16.8nC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
IRF7807  
IRF7807A  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain or Source  
Current (VGS ≥ 4.5V)  
Pulsed Drain Current  
Power Dissipation  
VDS  
VGS  
ID  
30  
V
±12  
25°C  
70°C  
8.3  
6.6  
66  
8.3  
6.6  
66  
A
IDM  
PD  
25°C  
70°C  
2.5  
1.6  
W
Junction & Storage Temperature Range  
Continuous Source Current (Body Diode)  
Pulsed source Current  
TJ, TSTG  
IS  
–55 to 150  
°C  
A
2.5  
66  
2.5  
66  
ISM  
Thermal Resistance  
Parameter  
Max.  
Units  
Maximum Junction-to-Ambientƒ  
RθJA  
50  
°C/W  
www.irf.com  
1
10/10/00  
12345678

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IRF7807A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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类似代替

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 		Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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