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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF7807D2PBF
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IRF7807D2PBF

更新时间： 2024-01-29 10:19:12
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体肖特基二极管晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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描述
FETKY⑩ MOSFET / SCHOTTKY DIODE

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IRF7807D2PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SO-8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：7.06
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：8.3 A最大漏极电流 (ID)：8.3 A
最大漏源导通电阻：0.025 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：66 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF7807D2PBF 数据手册

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PD- 95436A  
IRF7807D2PbF  
FETKY™ MOSFET / SCHOTTKY DIODE  
• Co-Pack N-channel HEXFET® Power MOSFET  
and Schottky Diode  
• Ideal for Synchronous Rectifiers in DC-DC  
Converters up to 5A Output  
• Low Conduction Losses  
• Low Switching Losses  
• Low Vf Schottky Rectifier  
• Lead-Free  
1
2
3
4
8
7
A/S  
A/S  
K/D  
K/D  
6
5
A/S  
G
K/D  
K/D  
SO-8  
Top View  
Description  
The FETKY™ family of Co-Pack HEXFET® MOSFETs  
and Schottky diodes offers the designer an innovative,  
board space saving solution for switching regulator and  
power management applications. HEXFET power  
MOSFETs utilize advanced processing techniques to  
achieve extremely low on-resistance per silicon area.  
Combining this technology with International Rectifier’s  
low forward drop Schottky rectifiers results in an extremely  
efficient device suitable for use in a wide variety of  
portable electronics applications.  
Device Features (Max Values)  
IRF7807D2  
VDS  
30V  
RDS(on)  
Qg  
25mΩ  
14nC  
QSW  
Qoss  
5.2nC  
21.6nC  
The SO-8 has been modified through a customized  
leadframe for enhanced thermal characteristics. The SO-  
8 package is designed for vapor phase, infrared or wave  
soldering techniques.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Max.  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain or Source  
Current (VGS ≥ 4.5V)  
Pulsed Drain Current  
Power Dissipation  
30  
±12  
V
VGS  
25°C  
70°C  
ID  
8.3  
6.6  
A
IDM  
PD  
66  
25°C  
70°C  
25°C  
70°C  
2.5  
W
A
1.6  
Schottky and Body Diode  
IF (AV)  
TJ,TSTG  
3.7  
Average ForwardCurrent„  
2.3  
Junction & Storage Temperature Range  
–55 to 150  
°C  
Thermal Resistance  
Parameter  
Max.  
Units  
Maximum Junction-to-Ambientƒ  
RθJA  
50  
°C/W  
www.irf.com  
1
10/7/04  
12345678

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IRF7807D2PBF 替代型号

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