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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> IRF7807VD2PBF
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IRF7807VD2PBF

更新时间： 2024-02-26 00:49:38
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体肖特基二极管小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 138K
描述
FETKY MOSFET / SCHOTTKY DIODE

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IRF7807VD2PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
风险等级：8.06配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：8.3 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)Base Number Matches：1

IRF7807VD2PBF 数据手册

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PD-95291  
IRF7807VD2PbF  
FETKY™ MOSFET / SCHOTTKY DIODE  
• Co-Pack N-channel HEXFET® Power MOSFET  
and Schottky Diode  
• Ideal for Synchronous Rectifiers in DC-DC  
Converters Up to 5A Output  
• Low Conduction Losses  
• Low Switching Losses  
• Low Vf Schottky Rectifier  
• Lead-Free  
1
2
8
7
K/D  
K/D  
A/S  
A/S  
3
4
6
5
A/S  
G
K/D  
K/D  
Top View  
SO-8  
Description  
The FETKY™ family of Co-Pack HEXFET®MOSFETs and  
Schottky diodes offers the designer an innovative, board  
space saving solution for switching regulator and power  
management applications. HEXFET power MOSFETs  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. Combining  
this technology with International Rectifier’s low forward  
drop Schottky rectifiers results in an extremely efficient  
device suitable for use in a wide variety of portable  
electronics applications.  
DEVICE CHARACTERISTICSꢀ  
IRF7807VD2  
RDS  
QG  
17mΩ  
9.5nC  
3.4nC  
12nC  
(on)  
Qsw  
The SO-8 has been modified through a customized  
leadframe for enhanced thermal characteristics. The SO-  
8 package is designed for vapor phase, infrared or wave  
soldering techniques.  
Qoss  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Max.  
30  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain or Source  
Current (VGS ≥ 4.5V)  
Pulsed Drain Current  
Power Dissipationƒ  
V
VGS  
±20  
8.3  
6.6  
66  
25°C  
70°C  
ID  
A
IDM  
PD  
25°C  
70°C  
25°C  
70°C  
2.5  
1.6  
3.7  
2.3  
W
A
Schottky and Body Diode  
IF (AV)  
TJ,TSTG  
Average ForwardCurrent„  
Junction & Storage Temperature Range  
–55 to 150  
°C  
Thermal Resistance  
Parameter  
Max.  
50  
Units  
°C/W  
°C/W  
Maximum Junction-to-Ambientƒ  
Maximum Junction-to-Lead  
RθJA  
RθJL  
20  
www.irf.com  
1
10/08/04  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7807VD2TRPBF INFINEON

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 		HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7807VPBF-1 INFINEON

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