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IRF7807D1-TR

更新时间： 2024-01-25 02:57:12
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 117K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8

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IRF7807D1-TR 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.11
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：8.3 A最大漏源导通电阻：0.025 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：66 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF7807D1-TR 数据手册

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PD- 93761  
IRF7807D1  
FETKY™ MOSFET / SCHOTTKY DIODE  
• Co-Pack N-channel HEXFET Power MOSFET  
and Schottky Diode  
• Ideal for Synchronous Rectifiers in DC-DC  
Converters Up to 5A Output  
• Low Conduction Losses  
• Low Switching Losses  
1
2
3
4
8
7
K/D  
K/D  
A/S  
A/S  
6
5
A/S  
G
K/D  
K/D  
• Low Vf Schottky Rectifier  
SO-8  
Top View  
Description  
The FETKY™ family of Co-Pack HEXFET MOSFETs and  
Schottky diodes offers the designer an innovative, board  
space saving solution for switching regulator and power  
management applications. HEXFET power MOSFETs  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. Combining  
this technology with International Rectifier’s low forward  
drop Schottky rectifiers results in an extremely efficient  
device suitable for use in a wide variety of portable  
electronics applications.  
Device Features (Max Values)  
IRF7807D1  
VDS  
30V  
RDS(on)  
Qg  
25mΩ  
14nC  
Qsw  
Qoss  
5.2nC  
18.4nC  
The SO-8 has been modified through a customized  
leadframe for enhanced thermal characteristics.The SO-  
8 package is designed for vapor phase, infrared or wave  
soldering techniques.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Max.  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain or Source  
Current (VGS ≥ 4.5V)  
Pulsed Drain Current  
Power Dissipation  
30  
±12  
V
VGS  
25°C  
70°C  
ID  
8.3  
6.6  
A
IDM  
PD  
66  
25°C  
70°C  
25°C  
70°C  
2.5  
W
A
1.6  
Schottky and Body Diode  
IF (AV)  
TJ,TSTG  
3.5  
Average ForwardCurrent„  
2.2  
Junction & Storage Temperature Range  
–55 to 150  
°C  
Thermal Resistance  
Parameter  
Max.  
Units  
Maximum Junction-to-Ambientƒ  
RθJA  
50  
°C/W  
www.irf.com  
1
11/8/99  
12345678

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与IRF7807D1-TR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7807D1TRPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IRF7807D2 INFINEON

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 		MOSFET / SCHOTTKY DIODE
IRF7807D2PBF INFINEON

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 		FETKY⑩ MOSFET / SCHOTTKY DIODE
IRF7807D2TR INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF7807D2TRPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF7807PBF INFINEON

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 		HEXFET㈢ Chip-Set for DC-DC Converters
IRF7807PBF-1 INFINEON

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 		Industry-standard pinout SO-8 Package
IRF7807PBF-1_15 INFINEON

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 		Industry-standard pinout SO-8 Package
IRF7807TR INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF7807TR UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时

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