IRF7807D2

更新时间： 2024-01-08 01:04:53

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英飞凌 - INFINEON		肖特基二极管
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描述
MOSFET / SCHOTTKY DIODE

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IRF7807D2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SO-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	7.06
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8.3 A	最大漏极电流 (ID)：	8.3 A
最大漏源导通电阻：	0.025 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MS-012AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	66 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF7807D2 数据手册

PD- 93762

IRF7807D2

FETKY™ MOSFET / SCHOTTKY DIODE

• Co-Pack N-channel HEXFET Power MOSFET

and Schottky Diode

• Ideal for Synchronous Rectifiers in DC-DC

Converters up to 5A Output

• Low Conduction Losses

• Low Switching Losses

K/D

A/S

K/D

• Low Vf Schottky Rectifier

SO-8

Top View

Description

The FETKY^™family of Co-Pack HEXFET MOSFETs

and Schottky diodes offers the designer an innovative,

board space saving solution for switching regulator and

power management applications. HEXFET power

MOSFETs utilize advanced processing techniques to

achieve extremely low on-resistance per silicon area.

Combining this technology with International Rectifier’s

low forward drop Schottky rectifiers results in an extremely

efficient device suitable for use in a wide variety of

portable electronics applications.

Device Features (Max Values)

IRF7807D2

V_DS

30V

R_DS(on)

Q_g

25mΩ

14nC

Q_SW

Q_oss

5.2nC

21.6nC

The SO-8 has been modified through a customized

leadframe for enhanced thermal characteristics.The SO-

8 package is designed for vapor phase, infrared or wave

soldering techniques.

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

V_DS

Max.

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain or Source

Current (V_GS≥ 4.5V)

Pulsed Drain Current

Power Dissipation

±12

V_GS

25°C

70°C

I_D

8.3

6.6

I_DM

P_D

25°C

70°C

25°C

70°C

2.5

1.6

Schottky and Body Diode

I_F(AV)

T_J,T_STG

3.7

Average ForwardCurrent

2.3

Junction & Storage Temperature Range

–55 to 150

°C

Thermal Resistance

Parameter

Max.

Units

Maximum Junction-to-Ambient

R_θJA

°C/W

www.irf.com

11/8/99

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF7807D2PBF	INFINEON	获取价格	FETKY⑩ MOSFET / SCHOTTKY DIODE
IRF7807D2TR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF7807D2TRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF7807PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Chip-Set for DC-DC Converters
IRF7807PBF-1	INFINEON	获取价格	Industry-standard pinout SO-8 Package
IRF7807PBF-1_15	INFINEON	获取价格	Industry-standard pinout SO-8 Package
IRF7807TR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF7807TR	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
IRF7807TRPBF	INFINEON	获取价格	HEXFETÂ® Chip-Set for DC-DC Converters
IRF7807TRPBF-1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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