是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 1.51 |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 8.3 A | 最大漏极电流 (ID): | 8.3 A |
最大漏源导通电阻: | 0.025 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | MS-012AA | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 2.5 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 66 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRF7807D1PBF | INFINEON |
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FETKY MOSFET / SCHOTTKY DIODE |
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IRF7807D1-TR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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IRF7807D1TRPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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IRF7807D2 | INFINEON |
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MOSFET / SCHOTTKY DIODE |
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IRF7807D2PBF | INFINEON |
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FETKY⑩ MOSFET / SCHOTTKY DIODE |
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IRF7807D2TR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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IRF7807D2TRPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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IRF7807PBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Chip-Set for DC-DC Converters |
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IRF7807PBF-1 | INFINEON |
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Industry-standard pinout SO-8 Package |
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IRF7807PBF-1_15 | INFINEON |
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Industry-standard pinout SO-8 Package |
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