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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF7807APBF
IRF7807APBF PDF预览

IRF7807APBF

更新时间： 2024-11-20 03:35:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体转换器晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 203K
描述
HEXFET㈢ Chip-Set for DC-DC Converters

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IRF7807APBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.07Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：8.3 A最大漏源导通电阻：0.025 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：66 A
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF7807APBF 数据手册

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PD – 95290  
IRF7807PbF  
IRF7807APbF  
HEXFET® Chip-Set for DC-DC Converters  
• N Channel Application Specific MOSFETs  
• Ideal for Mobile DC-DC Converters  
• Low Conduction Losses  
• Low Switching Losses  
• Lead-Free  
A
D
1
8
S
S
2
3
4
7
6
5
D
S
D
D
G
Description  
These new devices employ advanced HEXFET  
Power MOSFET technology to achieve an  
unprecedented balance of on-resistance and gate  
charge. The reduced conduction and switching losses  
make them ideal for high efficiency DC-DC  
Converters that power the latest generation of mobile  
microprocessors.  
SO-8  
Vds  
Rds(on) 25mΩ  
Qg  
Qsw  
Qoss  
Top View  
Device Features  
IRF7807 IRF7807A  
30V  
30V  
25mΩ  
17nC  
A pair of IRF7807 devices provides the best cost/  
performance solution for system voltages, such as 3.3V  
and 5V.  
17nC  
5.2nC  
16.8nC 16.8nC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
IRF7807  
IRF7807A  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain or Source  
Current (VGS ≥ 4.5V)  
Pulsed Drain Current  
Power Dissipation  
VDS  
VGS  
ID  
30  
V
±12  
25°C  
70°C  
8.3  
6.6  
66  
8.3  
6.6  
66  
A
IDM  
PD  
25°C  
70°C  
2.5  
1.6  
W
Junction & Storage Temperature Range  
Continuous Source Current (Body Diode)  
Pulsed source Current  
TJ, TSTG  
IS  
–55 to 150  
°C  
A
2.5  
66  
2.5  
66  
ISM  
Thermal Resistance  
Parameter  
Max.  
Units  
Maximum Junction-to-Ambientƒ  
RθJA  
50  
°C/W  
www.irf.com  
1
09/22/04  
12345678

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IRF7807APBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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