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IPP023N04NGXKSA1

更新时间： 2024-09-13 21:18:27

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	584K
描述
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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IPP023N04NGXKSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.49	雪崩能效等级（Eas）：	150 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	90 A	最大漏极电流 (ID)：	90 A
最大漏源导通电阻：	0.0023 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	167 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPP023N04NGXKSA1 数据手册

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Product Summary

Features

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Type

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPP023N04NG	INFINEON	功能相似	OptiMOS?3 Power-Transistor

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPP023N08N5	INFINEON	获取价格	OptiMOS™ 5 80 V power MOSFET, especially desi
IPP023N08N5AKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPP023N10N5	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPP023N10N5AKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPP023NE7N3 G	INFINEON	获取价格	75V OptiMOS?技术专注于同步整流应用。基于领先的80V技术，这些75V产品同时具
IPP023NE7N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
IPP023NE7N3GXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPP024N06N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS™3 Power-Transistor Features Ideal for
IPP024N06N3GXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPP024N08NF2S	INFINEON	获取价格	Infineon's StrongIRFET? 2?power MOSFET?80 V features low RDS(on) of 2.4 mOhm, addressing a

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