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IPP032N06N3G

更新时间： 2024-09-15 05:39:23

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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OptiMOS™3 Power-Transistor Features Ideal for high frequency switching and sync. rec.

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IPP032N06N3G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.27	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	235 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	120 A
最大漏极电流 (ID)：	120 A	最大漏源导通电阻：	0.0032 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	188 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	480 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPP032N06N3G 数据手册

Type

IPB029N06N3 G IPI032N06N3 G

IPP032N06N3 G

OptiMOS^™3 Power-Transistor

Product Summary

V _DS

2.9

120

Features

R _{DS(on),max (SMD)}

I _D

mΩ

• Ideal for high frequency switching and sync. rec.

• Optimized technology for DC/DC converters

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R_DS(on)

• N-channel, normal level

• 100% avalanche tested

• Pb-free plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target applications

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

IPB029N06N3 G

IPI032N06N3 G

IPP032N06N3 G

Package

Marking

PG-TO263-3

029N06N

PG-TO262-3

032N06N

PG-TO220-3

032N06N

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

T _C=25 °C²⁾

I _D

Continuous drain current

120

T _C=100 °C

Pulsed drain current³⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25 °C

480

I _D=100 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

Gate source voltage

235

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

188

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

-55 ... 175

55/175/56

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

¹⁾J-STD20 and JESD22

²⁾Current is limited by bondwire; with anR _thJC=0.8 K/W the chip is able to carry 188 A.

³⁾See figure 3 for more detailed information

⁴⁾See figure 13 for more detailed information

Rev. 2.2

page 1

2009-12-11

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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