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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.3 | 雪崩能效等级（Eas）： | 1430 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 80 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 100 A | 最大漏极电流 (ID)： | 100 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0028 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP028N08N3GXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 80V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPP029N06N | INFINEON |
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New OptiMOS⢠40V and 60V |
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| IPP030N06NF2S | INFINEON |
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英飞凌 StrongIRFET™ 2 60 V 功率 MOSFET 具备仅为 3.05 m |
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| IPP030N10N3 G | INFINEON |
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英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM |
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| IPP030N10N3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| IPP030N10N3GXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPP030N10N5 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPP030N10N5AKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPP032N06N3 G | INFINEON |
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OptiMOS ™ 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器 |
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| IPP032N06N3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™3 Power-Transistor Features Ideal for |
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