5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.18 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 60 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 80 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 80 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0052 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 94 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPP039N04LGXKSA1 | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP039N04LGXKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPP039N10N5 | INFINEON |
获取价格 |
采用TO-220封装的OptiMOS™5 100V功率MOSFET非常适合高频开关和同步整 |
|
| IPP03N03LA | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS 2 Power-Transistor |
|
| IPP03N03LB | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
|
| IPP03N03LBG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
|
| IPP03N03LBG_08 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS2 Power-Transistor |
|
| IPP040N06N | INFINEON |
获取价格 |
New OptiMOS⢠40V and 60V |
|
| IPP040N06N3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™3 Power-Transistor Features for sync. |
|
| IPP040N06NF2S | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌 StrongIRFET? 2 60 V 功率 MOSFET 具备仅为 4.0 mΩ |
|
| IPP040N08NF2S | INFINEON |
获取价格 |
Infineon's StrongIRFET? 2?power MOSFET 80 V features low RDS(on) of 4.0 mOhm, addressing a |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
