Datasheet > IPP045N10N3G

IPP045N10N3G

更新时间： 2024-10-15 17:15:27

品牌	Logo	应用领域
友台半导体 - UMW		/
页数	文件大小	规格书
9页	1029K
描述
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:100V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:137A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:4.5mΩ@10V

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPP045N10N3G 数据手册

45N10N3G

UMW

100 V

N-Channel

MOSFET

Features

•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀR_DS(on)

•ꢀ175ꢀ°Cꢀoperatingꢀtemperature

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀIdealꢀforꢀhigh-frequencyꢀswitchingꢀandꢀsynchronousꢀrectification

•ꢀV_DS100V

•ꢀI =137A

•ꢀR

(at V =10V) < 4.5mΩ

DS(ON)

Drain

Pin 2, Tab

Gate

Pin 1

Source

Pin 3

ꢀꢀMaximumꢀratings

atꢀT_A=25ꢀ°C,ꢀunlessꢀotherwiseꢀspecified

Values

Typ.

Parameter

Symbol

Min.

Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition

Max.

137

105

T_C=25ꢀ°C¹⁾

T_C=100ꢀ°C

Continuous drain current

I_D

Pulsed drain current¹⁾

Avalanche energy, single pulse

Gate source voltage

I_D,pulse

E_AS

548

340

T_C=25ꢀ°C

I_D=100ꢀA,ꢀR_GS=25ꢀΩ

V_GS

P_tot

-20

-55

Power dissipation

214

T_C=25ꢀ°C

IEC climatic category;

DIN IEC 68-1: 55/175/56

Operating and storage temperature

T_j,ꢀT_stg

175

°C

www.umw-ic.com

UTD Semiconductor Co.,Limited

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与IPP045N10N3G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPP048N04NG	INFINEON	获取价格	OptiMOS3 Power-Transistor
IPP048N06L	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPP048N06LG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPP048N06LG_10	INFINEON	获取价格	OptiMOS™ Power-Transistor Features For fast s
IPP048N12N3 G	INFINEON	获取价格	120V OptiMOS™ 系列提供业内最低导通电阻和最快开关性能，适用于各种应用，支持实
IPP048N12N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS?3 Power-Transistor
IPP048N12N3GXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 120V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPP04CN10NG	INFINEON	获取价格	OptiMOS™2 Power-Transistor
IPP04CNE8NG	INFINEON	获取价格	OptiMOS™2 Power-Transistor
IPP04N03L	INFINEON	获取价格	OptiMOS Buck converter series