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IPP039N10N5

更新时间： 2024-11-02 11:10:55

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英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	1541K
描述
采用TO-220封装的OptiMOS™5 100V功率MOSFET非常适合高频开关和同步整流应用。

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IPP039N10N5 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.71
雪崩能效等级（Eas）：	196 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	100 A	最大漏源导通电阻：	0.0039 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	65 pF
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	188 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPP039N10N5 数据手册

IPP039N10N5

MOSFET

OptiMOS^ª5ꢀPower-Transistor,ꢀ100ꢀV

TO-220-3

tab

Features

•ꢀIdealꢀforꢀhighꢀfrequencyꢀswitchingꢀandꢀsync.ꢀrec.

•ꢀExcellentꢀgateꢀchargeꢀxꢀR_DS(on)ꢀproductꢀ(FOM)

•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀꢀR_DS(on)

•ꢀN-channel,ꢀnormalꢀlevel

•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested

•ꢀPb-freeꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC¹⁾ꢀꢀforꢀtargetꢀapplications

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

Drain

Pin 2, Tab

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

Value

100

3.9

Unit

V_DS

Gate

Pin 1

R_DS(on),max

I_D

mΩ

Source

Pin 3

100

Q_oss

Q_G(0V..10V)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IPP039N10N5

PG-TO220-3

039N10N5

¹⁾J-STD20 and JESD22

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2016-11-22

12 3 4 5 6 7...11

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