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IPP041N12N3 G

更新时间： 2024-09-16 11:14:23

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英飞凌 - INFINEON		开关
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描述
120V OptiMOS™ 系列提供业内最低导通电阻和最快开关性能，适用于各种应用，支持实现卓越性能。120V OptiMOS™ 技术带来全新可能性，帮助实现优化解决方案。

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IPP041N12N3 G 数据手册

IPI041N12N3 G

IPB038N12N3 G

IPP041N12N3 G

OptiMOS^TM3 Power-Transistor

Product Summary

Features

V_DS

120

3.8

• N-channel, normal level

R_{DS(on),max (TO-263)}

I_D

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

120

• 175 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant, halogen free

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target application

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

Type

IPB038N12N3 G

IPI041N12N3 G

IPP041N12N3 G

Package

Marking

PG-TO263-3

038N12N

PG-TO262-3

041N12N

PG-TO220-3

041N12N

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

T _C=25 °C²⁾

I _D

Continuous drain current

120

T _C=100 °C

Pulsed drain current³⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25 °C

480

I _D=100 A, R _GS=25 W

Avalanche energy, single pulse

900

Gate source voltage ⁴⁾

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

300

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 175

55/175/56

Rev. 2.3

page 1

2014-04-15

12 3 4 5 6 7...11

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