型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPP040N08NF2S | INFINEON |
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Infineon's StrongIRFET? 2?power MOSFET 80 V features low RDS(on) of 4.0 mOhm, addressing a | |
IPP041N04N G | INFINEON |
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OptiMOS™ 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选,例如服务器和 | |
IPP041N04NG | INFINEON |
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OptiMOS?3 Power-Transistor | |
IPP041N12N3 G | INFINEON |
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120V OptiMOS™ 系列提供业内最低导通电阻和最快开关性能,适用于各种应用,支持实 | |
IPP041N12N3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor | |
IPP041N12N3GXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 120V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, | |
IPP042N03LG | INFINEON |
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OptiMOS?3 Power-Transistor | |
IPP045N10N3 G | INFINEON |
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英飞凌的 100V OptiMOS? 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM | |
IPP045N10N3G | INFINEON |
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OptiMOS?3 Power-Transistor | |
IPP045N10N3G | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):100V;持续漏极电流(Id)(在25°C |