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IPP039N04LGXKSA1 PDF预览

IPP039N04LGXKSA1

更新时间： 2024-09-15 20:02:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 264K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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IPP039N04LGXKSA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：0.87其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：60 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：80 A
最大漏极电流 (ID)：80 A最大漏源导通电阻：0.0052 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：94 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPP039N04LGXKSA1 数据手册

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IPP039N04L G  
IPB039N04L G  
OptiMOS™3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
40  
3.9  
80  
V
• Fast switching MOSFET for SMPS  
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• N-channel, logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• 100% Avalanche tested  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
IPB039N04L G  
IPP039N04L G  
Package  
Marking  
PG-TO263-3  
039N04L  
PG-TO220-3  
039N04L  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V GS=10 V, T C=25 °C  
Continuous drain current  
80  
80  
A
V
GS=10 V, T C=100 °C  
V
V
GS=4.5 V, T C=25 °C  
80  
73  
GS=4.5 V,  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
T C=25 °C  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
I AS  
400  
80  
Avalanche current, single pulse3)  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
E AS  
V GS  
I D=80 A, R GS=25 Ω  
60  
mJ  
V
±20  
1) J-STD20 and JESD22  
Rev. 1.2  
page 1  
2009-12-17  
1234567...10

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IPP039N04LGXKSA1 替代型号

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