Datasheet > IPP037N08N3G

IPP037N08N3G

更新时间： 2024-11-20 11:08:51

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
11页	1023K
描述
OptiMOS3 Power-Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPP037N08N3G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.18	雪崩能效等级（Eas）：	510 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	100 A	最大漏极电流 (ID)：	100 A
最大漏源导通电阻：	0.00375 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	214 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPP037N08N3G 数据手册

IPP037N08N3 G IPI037N08N3 G

IPB035N08N3 G

"%&$!"#^™3 Power-Transistor

Product Summary

Features

V _9H

+&-

)((

Q #451< 6? B 8978 6B5AE5>3 I CG9D3 89>7 1>4 CI>3 ꢀ B53 ꢀ

Q ( @D9=9J54 D53 8>? <? 7I 6? B ꢁ ꢂ ꢃꢁ ꢂ 3 ? >F5BD5BC

Q ꢄ H3 5<<5>D 71D5 3 81B75 H R _9H"[Z#@B? 4E3 D ꢅ ( & ꢆ

Q .5BI <? G ? >ꢇB5C9CD1>3 5 + _9H"[Z#

R _9H"[Z#$YMd

I ₉

@B5F9? EC 5>79>55B9>7 3 ? 45ꢘ

#)ꢗ ꢊ ꢖ ꢏ ' ꢊ ꢕ ' ꢖ !

Q ' ꢇ3 81>>5<ꢈ >? B=1< <5F5<

Q ꢉ ꢊ ꢊ ꢋ 1F1<1>3 85 D5CD54

Q )2 ꢇ6B55 @<1D9>7ꢌ + ? " , 3 ? =@<91>D

Q * E1<96954 13 3 ? B49>7 D? $ ꢄ ꢁ ꢄ ꢂ ^)#6? B D1B75D 1@@<93 1D9? >C

Q " 1<? 75>ꢇ6B55 13 3 ? B49>7 D? #ꢄ ꢂ ꢍ ꢉ ꢎ ꢏ ꢐ ꢇꢎ ꢇꢎ ꢉ

Type

#))ꢊ ꢖ ꢔ ' ꢊ ꢕ ' ꢖ !

#)#ꢊ ꢖ ꢔ ' ꢊ ꢕ ' ꢖ !

#)ꢗ ꢊ ꢖ ꢒ ' ꢊ ꢕ ' ꢖ !

Package

Marking

E=%ID**(%+

(+/C(0C

E=%ID*.*%+

(+/C(0C

E=%ID*.+%+

(+-C(0C

Maximum ratings, 1D T _Vꢑ ꢎ ꢒ Tꢂ ꢈ E><5CC ? D85BG9C5 C@53 96954

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

T ₈ꢑ ꢎ ꢒ Tꢂ ^*#

I ₉

ꢂ ? >D9>E? EC 4B19> 3 EBB5>D

)((

,((

T ₈ꢑ ꢉ ꢊ ꢊ Tꢂ

)E<C54 4B19> 3 EBB5>D^*#

I _{9$\aX_Q}

E _6H

T ₈ꢑ ꢎ ꢒ Tꢂ

I ₉ꢑ ꢉ ꢊ ꢊ ꢓ ꢈ R _=Hꢑ ꢎ ꢒ "

ꢓ F1<1>3 85 5>5B7Iꢈ C9>7<5 @E<C5^+#

!1D5 C? EB3 5 F? <D175

-)(

q*(

V _=H

P _`[`

T ₈ꢑ ꢎ ꢒ Tꢂ

)? G5B 49CC9@1D9? >

*),

Tꢂ

T _Vꢈ T _{_`S}

( @5B1D9>7 1>4 CD? B175 D5=@5B1DEB5

#ꢄ ꢂ 3 <9=1D93 3 1D57? BIꢌ ꢁ #' #ꢄ ꢂ ꢍ ꢕ ꢇꢉ

ꢇꢒ ꢒ ꢀꢀꢀ ꢉ ꢔ ꢒ

ꢒ ꢒ ꢃꢉ ꢔ ꢒ ꢃꢒ ꢍ

^)#$ ꢇ,-ꢁ ꢎ ꢊ 1>4 $ ꢄ ,ꢁ ꢎ ꢎ

^*#,55 697EB5 ꢖ 6? B =? B5 45D19<54 9>6? B=1D9? >

^+#,55 697EB5 ꢉ ꢖ 6? B =? B5 45D19<54 9>6? B=1D9? Z

+ 5Fꢀ ꢎ ꢀꢖ

@175 ꢉ

ꢎ ꢊ ꢊ ꢐ ꢇꢉ ꢎ ꢇꢉ ꢍ

12 3 4 5 6 7...11

中文翻译

下载PDF

与IPP037N08N3G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPP039N04LG	INFINEON	获取价格	OptiMOS3 Power-Transistor
IPP039N04LGXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP039N10N5	INFINEON	获取价格	采用TO-220封装的OptiMOS™5 100V功率MOSFET非常适合高频开关和同步整
IPP03N03LA	INFINEON	获取价格	OptiMOS 2 Power-Transistor
IPP03N03LB	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPP03N03LBG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPP03N03LBG_08	INFINEON	获取价格	OptiMOS2 Power-Transistor
IPP040N06N	INFINEON	获取价格	New OptiMOSâ¢ 40V and 60V
IPP040N06N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS™3 Power-Transistor Features for sync.
IPP040N06NF2S	INFINEON	获取价格	英飞凌 StrongIRFET? 2 60 V 功率 MOSFET 具备仅为 4.0 mΩ

与IPP037N08N3G相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

25
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

17
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPP037N08N3G

IPP037N08N3G 技术参数

IPP037N08N3G 数据手册

与IPP037N08N3G相关器件

与IPP037N08N3G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPP037N08N3G

IPP037N08N3G 技术参数

IPP037N08N3G 数据手册

与IPP037N08N3G相关器件

与IPP037N08N3G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？